檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "GaN-based".ekeyword (精準) and year="107"
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本論文使用商用氮化鎵LED晶圓,利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程,選擇性的將部分最上層的p-AlGaN反轉成n-AlGaN,使其結構由p-i-n變成n-p-i-n結構,在同一…
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本論文研究積體化氮化鎵發光二極體與光偵測器模組的電路設計與特性量測。量測本實驗室積體化製程製作的兩種光偵測器(p-i-n結構以及n-p-i-n結構光電晶體)的特性包括暗電流、外部量子效率、在不同偏壓…